1. 測(cè)試環(huán)境搭建

• 負(fù)載階躍電路：使用一個(gè)由脈沖發(fā)生器控制的MOSFET開關(guān)來模擬負(fù)載的快速變化。通過調(diào)節(jié)MOSFET的柵極RC網(wǎng)絡(luò)，可以控制負(fù)載階躍的速度。
• 電流探頭和電壓測(cè)量：使用示波器的電流探頭測(cè)量負(fù)載電流的階躍變化，同時(shí)在電源輸出電容或負(fù)載點(diǎn)上測(cè)量輸出電壓。

2. 設(shè)置示波器參數(shù)

• 帶寬設(shè)置：根據(jù)USB-PD的頻率特性，設(shè)置合適的帶寬限制（如100MHz或更高）以確保能夠捕捉到快速瞬態(tài)變化。
• 觸發(fā)設(shè)置：設(shè)置觸發(fā)條件，以便在負(fù)載階躍發(fā)生時(shí)捕捉到瞬態(tài)響應(yīng)。
• 時(shí)間基準(zhǔn)：選擇合適的時(shí)間基準(zhǔn)（如100μs/格），以便觀察瞬態(tài)響應(yīng)的細(xì)節(jié)。

3. 瞬態(tài)響應(yīng)的觀察與分析

• 電壓下沉與恢復(fù)時(shí)間：當(dāng)負(fù)載發(fā)生階躍變化時(shí)，電源輸出電壓會(huì)出現(xiàn)短暫的下降，隨后恢復(fù)到正常水平。示波器可以測(cè)量電壓下沉的幅度和恢復(fù)時(shí)間。
• 過沖與振鈴：在負(fù)載快速變化時(shí)，電源輸出可能會(huì)出現(xiàn)過沖或振鈴現(xiàn)象。通過示波器可以觀察這些現(xiàn)象的幅度和持續(xù)時(shí)間。
• 動(dòng)態(tài)響應(yīng)：對(duì)于USB-PD電源，需要特別關(guān)注其在負(fù)載快速變化時(shí)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。示波器可以幫助評(píng)估電源是否能夠在短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)到穩(wěn)定狀態(tài)。

4. 具體測(cè)試案例

• 負(fù)載階躍測(cè)試：通過快速切換負(fù)載電流（如從1A到2A），觀察電源輸出電壓的變化。例如，某測(cè)試中電源在負(fù)載階躍時(shí)的電壓下沉幅度為75mV，恢復(fù)時(shí)間為5ms，這表明電源的瞬態(tài)響應(yīng)性能良好。
• 高頻瞬態(tài)測(cè)試：在USB-PD電源測(cè)試中，示波器可以捕捉到高頻瞬態(tài)變化，例如電源在負(fù)載快速變化時(shí)的高頻噪聲和紋波。

5. 標(biāo)準(zhǔn)要求

• 電壓下沉：對(duì)于負(fù)載電流≥60mA，電壓下沉恢復(fù)時(shí)間應(yīng)小于5ms。
• 無負(fù)載過渡：在負(fù)載電流小于60mA時(shí)，電壓過沖的恢復(fù)時(shí)間可以放寬到150ms。